ddr2和ddr3的插槽一樣嗎
品牌型號:三星內存條DDR2&&DDR3
ddr2和ddr3的插槽不一樣。ddr2和ddr3是兩代不同的內存條,DDR2和DDR3內存模塊的插槽是不兼容的,它們具有不同的物理接口。無法將DDR3內存模塊插入DDR2插槽中,反之亦然。而且DDR3內存比DDR2內存工作時的電壓更低。DDR2內存通常使用1.8伏特的電壓,而DDR3內存通常使用1.5伏特的電壓。這種降低的電壓有助於降低功耗和熱量產生。
ddr2和ddr3的注意區別:
1、邏輯Bank數量。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計,目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個,另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
2、封裝。由於DDR3新增了一些功能,在引腳方面會有所增加,8bit芯片採用78球FBGA封裝,16bit芯片採用96球FBGA封裝,而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝,不能含有任何有害物質。
3、突發長度。由於DDR3的預取為8bit,所以突發傳輸週期(BL,Burst Length)也固定為8,而對於DDR2和早期的DDR架構的系統,BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發突變)模式,即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸,屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。
4、尋址時序。就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣,DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間,而DDR3則在5至11之間,且附加延遲(AL)的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4,而DDR3時AL有三種選項,分別是0、CL-1和CL-2。—寫入延遲(CWD),這一參數將根據具體的工作頻率而定。
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