euv和duv區別
品牌型號:iPhone 14
系統:iOS 16.1.2
euv和duv區別:
1、製程範圍不同。duv:基本上只能做到25nm,Intel憑藉雙工作臺的模式做到了10nm,卻無法達到10nm以下。euv:能滿足10nm以下的晶圓製造,並且還可以向5nm、3nm繼續延伸。
2、發光原理不同。duv:光源為準分子鐳射,光源的波長能達到193奈米。euv:鐳射激發等離子來發射EUV光子,光源的波長則為13.5奈米。
3、光路系統不同。duv:主要利用光的折射原理。其中,浸沒式光刻機會在投影透鏡與晶圓之間,填入去離子水,使得193nm的光波等效至134nm。euv:利用的光的反射原理,內部必須為真空操作。
極紫外光刻(ExtremeUltra-violet),常稱作EUV光刻,它以波長為10-14奈米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為採用波長為13.4nm的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然後放射出紫外線。
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